BD772-GR - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BD772-GR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: BD772-GR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для BD772-GR

BD772-GR Datasheet (PDF)

..1. Size:371K mcc
bd772-gr.pdf

BD772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMBD772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 BD772-YPhone: (818) 701-4933BD772-GRFax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information)Plastic-Encapsulate Capable of 0.5Watts of Power Dissipation. Collecto

8.1. Size:371K mcc
bd772-o.pdf