Справочник транзисторов. BDS10N1A

 

Биполярный транзистор BDS10N1A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDS10N1A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO276AA
 

 Аналог (замена) для BDS10N1A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS10N1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  semelab
 bds10n1a.pdf pdf_icon

BDS10N1A

SILICON NPN EPITAXIAL BIPOLAR TRANSISTOR BDS10N1A, BDS10N1B High Voltage Hermetic Ceramic SMD0.5 (TO-276AA) Surface Mount Package Ideally suited for Power Linear, Switching and general Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 60V VCEO Collector Emitte

 7.1. Size:360K  semelab
 bds10n1b.pdf pdf_icon

BDS10N1A

SILICON NPN EPITAXIAL BIPOLAR TRANSISTOR BDS10N1A, BDS10N1B High Voltage Hermetic Ceramic SMD0.5 (TO-276AA) Surface Mount Package Ideally suited for Power Linear, Switching and general Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 60V VCEO Collector Emitte

 9.1. Size:14K  semelab
 bds10ig.pdf pdf_icon

BDS10N1A

BDS10IGBDS11IGSEMEBDS12IGLABMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)SILICON NPN4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)EPITAXIAL BASE IN10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)TO257 METAL PACKAGE3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)FEATURES1 2 3 HERMETIC TO257 ISOLATED METALPACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS0.64 (0.025)Dia.0.89 (0

 9.2. Size:41K  semelab
 bds10smd.pdf pdf_icon

BDS10N1A

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8(0.03)FEATURES3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BD772-R , BD772-Y , BD810G , BD882-GR , BD882-O , BD882-R , BD882-Y , BDS10IG , NJW0281G , BDS10N1B , BDS10SMD , BDS10SMD05 , BDS11IG , BDS11SM , BDS11SMD , BDS11SMD05 , BDS12IG .

 

 
Back to Top

 


 
.