BDS28BN2 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BDS28BN2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: BDS28BN2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO276AB

Аналоги (замена) для BDS28BN2

BDS28BN2 Datasheet (PDF)

..1. Size:448K semelab
bds28bn2.pdf

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON BDS28A/B/CN2 BDS29A/B/CN2 High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Screening Options Available Designed for General Purpose Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) PNP BDS28A BDS28B BDS28C NPN BDS29A BDS29B BDS29C VCBO Collector Base Voltage 60V 90V 120V

8.1. Size:10K semelab
bds28bsmd.pdf

BDS28BSMDDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar PNP Device. 2VCEO = 90V IC = 30A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (

8.2. Size:97K semelab
bds28bm3a.pdf

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON BDS28A/B/CM3A BDS29A/B/CM3A High DC Current Gain Hermetic Isolated TO-254AA Package Screening Options Available Designed for General Purpose Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) PNP BDS28A BDS28B BDS28C NPN BDS29A BDS29B BDS29C VCBO Collector Base Voltage 60V 90V 120V VC

9.1. Size:448K semelab
bds28an2.pdf