BDX16A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX16A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO213AA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX16A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX16A даташит

 ..1. Size:33K  semelab
 bdx16a.pdf pdf_icon

BDX16A

BDX16AA MECHANICAL DATA Dimensions in mm 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 PNP POWER (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. TRANSISTOR 1 2 1.27 (0.050) 4.83 (0.190) 1.91 (0.750) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO66 Package. (TO-213AA) Pin 1 Base Pin 2 Emitter Case - Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bdx16.pdf pdf_icon

BDX16A

isc Silicon PNP Power Transistor BDX16 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = -3A C Collector Power Dissipation- P = 25W @T = 25 C C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -140V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose switching and linear amplifier appl

Другие транзисторы: BDV65BG, BDW24B, BDW42G, BDW46G, BDW47G, BDW52B, BDX14A, BDX14S, 2SD1047, BDX18A, BDX33BG, BDX33CG, BDX34BG, BDX34CG, BDX53BG, BDX53CG, BDX54BG