BDY58A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDY58A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO204

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDY58A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY58A даташит

 ..1. Size:11K  semelab
bdy58a.pdfpdf_icon

BDY58A

BDY58A Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 125V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 25A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.1. Size:203K  comset
bdy57-bdy58.pdfpdf_icon

BDY58A

BDY57 BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY57 80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY58 125 BDY57 120 VCBO Collector-Base Voltage V BDY58 160 BDY57 VEBO Emitter-Base Voltage 10 V BDY58 BDY57 IC Collector Current

 9.2. Size:153K  comset
bdy57 bdy58.pdfpdf_icon

BDY58A

BDY57 BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY57 80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY58 125 BDY57 120 VCBO Collector-Base Voltage V BDY58 160 BDY57 VEBO Emitter-Base Voltage 10 V BDY58 BDY57 IC Collector Current

 9.3. Size:11K  semelab
bdy58s.pdfpdf_icon

BDY58A

BDY58S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 125V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 25A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

Другие транзисторы: BDX53BG, BDX53CG, BDX54BG, BDX54CG, BDX67CECC, BDY27AS, BDY27CX, BDY55X, TIP35C, BDY58S, BDY60-02, BDY71X, BDY76E, BDY90S, BFU520, BFU520A, BFU520W