Биполярный транзистор 2N768 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N768
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.035 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18

Другие транзисторы... 2N759A , 2N759B , 2N76 , 2N760 , 2N760A , 2N760B , 2N761 , 2N762 , D965 , 2N769 , 2N77 , 2N770 , 2N771 , 2N772 , 2N773 , 2N774 , 2N775 .