Биполярный транзистор 2N768 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N768
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.035 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
Другие транзисторы... 2N759A , 2N759B , 2N76 , 2N760 , 2N760A , 2N760B , 2N761 , 2N762 , 13001-A , 2N769 , 2N77 , 2N770 , 2N771 , 2N772 , 2N773 , 2N774 , 2N775 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050