BDY58S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDY58S 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO204
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BDY58S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDY58S даташит
bdy58s.pdf
BDY58S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 125V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 25A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in
bdy58s.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY58S DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS LF signal power amplification. High current fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P
bdy57-bdy58.pdf
BDY57 BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY57 80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY58 125 BDY57 120 VCBO Collector-Base Voltage V BDY58 160 BDY57 VEBO Emitter-Base Voltage 10 V BDY58 BDY57 IC Collector Current
bdy57 bdy58.pdf
BDY57 BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY57 80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY58 125 BDY57 120 VCBO Collector-Base Voltage V BDY58 160 BDY57 VEBO Emitter-Base Voltage 10 V BDY58 BDY57 IC Collector Current
Другие транзисторы: BDX53CG, BDX54BG, BDX54CG, BDX67CECC, BDY27AS, BDY27CX, BDY55X, BDY58A, BD135, BDY60-02, BDY71X, BDY76E, BDY90S, BFU520, BFU520A, BFU520W, BFU520X
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c







