BFU520X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU520X  📄📄 

Маркировка: *TE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.52 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT143B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU520X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU520X даташит

 ..1. Size:325K  philips
bfu520x.pdfpdf_icon

BFU520X

BFU520X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and be

 0.1. Size:332K  philips
bfu520xr.pdfpdf_icon

BFU520X

BFU520XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 0.2. Size:308K  nxp
bfu520xr.pdfpdf_icon

BFU520X

BFU520XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 8.1. Size:329K  philips
bfu520.pdfpdf_icon

BFU520X

BFU520 NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and bene

Другие транзисторы: BDY58S, BDY60-02, BDY71X, BDY76E, BDY90S, BFU520, BFU520A, BFU520W, SS8050, BFU520XR, BFU520Y, BFU530, BFU530A, BFU530W, BFU530X, BFU530XR, BFU550