BR3DD6802Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR3DD6802Q

Маркировка: BR6802

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126R

 Аналоги (замена) для BR3DD6802Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BR3DD6802Q даташит

 ..1. Size:707K  blue-rocket-elect
br3dd6802q.pdfpdf_icon

BR3DD6802Q

 9.1. Size:460K  blue-rocket-elect
br3dd13005p8f.pdfpdf_icon

BR3DD6802Q

MJE13005P8(BR3DD13005P8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High fr

 9.2. Size:447K  blue-rocket-elect
br3dd13007x9p.pdfpdf_icon

BR3DD6802Q

MJE13007X9(BR3DD13007X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting, switching power supply applications.

 9.3. Size:456K  blue-rocket-elect
2sd2625z9 br3dd2625z9p.pdfpdf_icon

BR3DD6802Q

2SD2625Z9(BR3DD2625Z9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit /

Другие транзисторы: BR3DD13007X7R, BR3DD13007X8F, BR3DD13007X9P, BR3DD13009X7R, BR3DD13009X8F, BR3DD13009X9P, BR3DD13009Z8F, BR3DD5555R, BC337, BR3DG1684, BR3DG227K, BR3DG536K, BRF90G, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05, BSV64SMD