Биполярный транзистор BSP16T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSP16T1G
Маркировка: BT2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT223
BSP16T1G Datasheet (PDF)
bsp16t1g.pdf
BSP16T1GHigh Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantPNP SILICONHIGH VOLTAGE TRANSISTORMAXIMUM RATINGSSURFACE MOUNTRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector-Base Voltage VCBO --350 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter-Base Voltage VEBO --6.0 VdcCollector C
bsp16t1r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSP16T1/DSOT-223 Package BSP16T1Motorola Preferred DeviceHigh Voltage TransistorPNP SiliconCOLLECTOR 2,4SOT223 PACKAGEPNP SILICONHIGH VOLTAGEBASETRANSISTOR1SURFACE MOUNTEMITTER 34MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 123CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage
bsp16t1-d.pdf
BSP16T1GHigh Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantPNP SILICONHIGH VOLTAGE TRANSISTORMAXIMUM RATINGSSURFACE MOUNTRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector-Base Voltage VCBO --350 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter-Base Voltage VEBO --6.0 VdcCollector C
bsp16.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETdbook, halfpageM3D087BSP16PNP high-voltage transistor1999 Apr 28Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor BSP16FEATURES PINNING High voltage (max. 350 V).PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2, 4 collector Switching and amplification 3 emitter
bsp16.pdf
SOT223 PNP SILICON PLANARBSP16HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 3 AUGUST 1995 T i V C i I E T T C T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N1644A | 2SC3298O
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050