BSP20A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP20A

Маркировка: SP20A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BSP20A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSP20A даташит

 ..1. Size:119K  motorola
bsp19at bsp20a.pdfpdf_icon

BSP20A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSP19AT1/D BSP19AT1 NPN Silicon BSP20AT1 Epitaxial Transistor Motorola Preferred Devices This family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for use as a general purpose amplifier and in switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications

 ..2. Size:39K  kexin
bsp20a.pdfpdf_icon

BSP20A

SMD Type Transistors NPN Silicon Epitaxial Transistor BSP20A SOT-223 Unit mm 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 Features 0.90+0.2 -0.2 High Voltage V(BR)CEO of 250 and 350 Volts. 3.00+0.1 -0.1 7.00+0.3 -0.3 Available in 12 mm Tape and Reel 4 1 Base 2 Collector 1 2 3 0.70+0.1 -0.1 3 Emitter 2.9 4.6 4 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

 9.1. Size:65K  philips
bsp205.pdfpdf_icon

BSP20A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP205 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical BSP205 D-MOS transistor DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA P-channel enhancement mode Drain-source voltage -VDS max. 60 V vertical D

 9.2. Size:48K  philips
bsp19 bsp20.pdfpdf_icon

BSP20A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D087 BSP19; BSP20 NPN high-voltage transistors 1999 Jun 01 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 03 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BSP19; BSP20 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V). 1 base 2, 4 collector APPLICATION

Другие транзисторы: BSX62SMD05, BSX63SMD, BSX64SMD, BSX64SMD05, BRF91, BRF91G, BSP16T1G, BSP19AT1G, A733, BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, BSS62A