BSS52A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS52A

Тип материала: SI

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSS52A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS52A даташит

 ..1. Size:62K  comset
 bss50a bss51a bss52a.pdf pdf_icon

BSS52A

NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A 61A 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Val

 9.1. Size:287K  philips
 pbss5240t.pdf pdf_icon

BSS52A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 15 Supersedes data of 2001 Oct 31 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 2 A PBSS5240T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO c

 9.2. Size:52K  philips
 bss50 bss51 bss52 3.pdf pdf_icon

BSS52A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS50; BSS51; BSS52 NPN Darlington transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 May 13 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BSS50; BSS51; BSS52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emi

 9.3. Size:257K  philips
 pbss5220t.pdf pdf_icon

BSS52A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age M3D088 PBSS5220T 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Dec 18 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 2 A PBSS5220T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BRF91G, BSP16T1G, BSP19AT1G, BSP20A, BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BD335, BSS60A, BSS61A, BSS62A, BSS63LT1G, BSS63R, BSS64LT1G, BSS71CSM, BSS71DCSM