2SA2016-TD-E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SA2016-TD-E
Маркировка: AW
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 290 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SA2016-TD-E
2SA2016-TD-E Datasheet (PDF)
2sa2016 2sc5569.pdf
Ordering number ENN6309B 2SA2016 / 2SC5569 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2016 / 2SC5569 DC / DC Converter Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of FBET and MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall packag
2sa2016 2sc5569.pdf
Ordering number ENN6309A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2016/2SC5569 DC/DC Converter Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit mm 2163 Features [2SA2016/2SC5569] 4.5 Adoption of FBET and MBIT processes. 1.6 1.5 High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High
2sa2016 2sc5569.pdf
Ordering number EN6309D 2SA2016/2SC5569 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Applicaitons Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features Adoption of FBET and MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching Ultrasmall package facilitales mini
2sa2016.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA2016 PNP PLANAR TRANSISTOR PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. FEATURES *High current capacitance. *Low collector-to-emitter saturation voltage. *High-speed switching *High allowable power dissipation. ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Pa
Другие транзисторы... 2SA1980N , 2SA1980-O , 2SA1980-Y , 2SA1981N , 2SA1995 , 2SA1998 , 2SA2002 , 2SA2013-TD-E , BC639 , 2SA2026 , 2SA2027 , 2SA2029FHA , 2SA2029M3T5G , 2SA2039-E , 2SA2039-TL-E , 2SA2040-E , 2SA2040-TL-E .
History: 2SA2119TGP | 2SC4687 | 2SA567
History: 2SA2119TGP | 2SC4687 | 2SA567
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a





