Биполярный транзистор 2SA2029M3T5G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA2029M3T5G
Маркировка: F9
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT723
Аналоги (замена) для 2SA2029M3T5G
2SA2029M3T5G Datasheet (PDF)
2sa2029m3t5g.pdf
2SA2029M3T5GPNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardhttp://onsemi.comspace is at a premium.FeaturesPNP GENERAL Reduces Board SpacePURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typ
nsv2sa2029m3t5g.pdf
2SA2029M3T5GPNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardhttp://onsemi.comspace is at a premium.FeaturesPNP GENERAL Reduces Board SpacePURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typ
2sa2029m3-d.pdf
2SA2029M3T5GPNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardhttp://onsemi.comspace is at a premium. Reduces Board Space High hFE, 210-460 (Typical)PNP GENERAL Low VCE(sat),
2sa2029m3.pdf
2SA2029M3PNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardwww.onsemi.comspace is at a premium.FeaturesPNP GENERAL Reduces Board SpacePURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typical)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050