2SA2040-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA2040-E  📄📄 

Маркировка: A2040

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 290 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA2040-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2040-E даташит

 ..1. Size:332K  onsemi
 2sa2040-e 2sa2040 2sc5707-e 2sc5707.pdf pdf_icon

2SA2040-E

Ordering number EN6913B 2SA2040/2SC5707 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)50V, (-)8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features Adoption of FBET and MBIT processes Large current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High al

 7.1. Size:58K  sanyo
 2sa2040 2sc5707.pdf pdf_icon

2SA2040-E

Ordering number ENN6913A 2SA2040 / 2SC5707 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2040 / 2SC5707 High Current Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of FBET and MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switchin

 7.2. Size:37K  sanyo
 2sa2040.pdf pdf_icon

2SA2040-E

 7.3. Size:430K  onsemi
 2sa2040 2sc5707.pdf pdf_icon

2SA2040-E

Ordering number EN6913B 2SA2040/2SC5707 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)50V, (-)8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features Adoption of FBET and MBIT processes Large current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High al

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA2013-TD-E, 2SA2016-TD-E, 2SA2026, 2SA2027, 2SA2029FHA, 2SA2029M3T5G, 2SA2039-E, 2SA2039-TL-E, 2SC828, 2SA2040-TL-E, 2SA2088FRA, 2SA2112-AN, 2SA2119GP, 2SA2119TGP, 2SA2124-TD-E, 2SA2125-TD-E, 2SA2125-TD-H