Биполярный транзистор 2N1260 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1260
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO53
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам