Биполярный транзистор 2N1260 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1260
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO53
Другие транзисторы... 2N1253A , 2N1254 , 2N1255 , 2N1256 , 2N1257 , 2N1258 , 2N1259 , 2N126 , A733 , 2N1261 , 2N1261A , 2N1262 , 2N1262A , 2N1263 , 2N1263A , 2N1264 , 2N1264-13 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050