2SA2186-AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA2186-AN  📄📄 

Маркировка: A2186

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 420 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC71

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA2186-AN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2186-AN даташит

 ..1. Size:526K  onsemi
 2sa2186-an.pdf pdf_icon

2SA2186-AN

Ordering number ENA0269A 2SA2186 Bipolar Transistor http //onsemi.com -50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMP Applicaitons Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching Specifications Absolute Maximum Ratings at

 7.1. Size:32K  sanyo
 2sa2186.pdf pdf_icon

2SA2186-AN

Ordering number ENA0269 2SA2186 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA2186 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT processes. High current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Rat

 8.1. Size:206K  toshiba
 2sa2184.pdf pdf_icon

2SA2186-AN

2SA2184 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2184 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -550 V High speed tf = 40 ns (typ.) (IC = -0.5A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -550 V Collector-emitter voltage VCEO -550 V Emitter-base voltage VEBO -7 V DC IC -1

 8.2. Size:179K  toshiba
 2sa2183.pdf pdf_icon

2SA2186-AN

2SA2183 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2183 High Current Switching Applications Unit mm Low collector-emitter saturation VCE(sat) = -1.0 V max Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -60 V Emitter-base voltage VEBO -7 V DC IC -5.0 A Collector current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA2126-TL-E, 2SA2126-TL-H, 2SA2127-AE, 2SA2153-TD-E, 2SA2166, 2SA2167, 2SA2169-E, 2SA2169-TL-E, 2N2222, 2SA2188, 2SA2205-E, 2SA2205-TL-E, 2SA2210-1E, 2SA2223, 2SA2223A, 2SA562-O, 2SA562-Y