Биполярный транзистор 2SB1201S-TL-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1201S-TL-E
Маркировка: B1201
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для 2SB1201S-TL-E
2SB1201S-TL-E Datasheet (PDF)
2sb1201s-e 2sb1201s 2sb1201t-e 2sb1201t.pdf
Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit
2sb1201 2sd1801.pdf
Ordering number:ENN2112BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1201/2SD1801High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2045B[2SB1201/2SD1801]Features6.52.35.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.54 Large current capacity and wide ASO. Low colle
2sb1201 2sd1801.pdf
Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit
2sb1201.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1201TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity and wide ASO.0.127+0.10.80-0.1max Complementary to 2SD1801+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154 .60 -0.152 Collector3 Emitt
2sb1201.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1201DESCRIPTIONLarge current capacitance and wide ASOLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSVoltage regulators,relay drivers,lamp drivers,electrical equipmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050