Справочник транзисторов. 2SB1201T-E

 

Биполярный транзистор 2SB1201T-E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1201T-E
   Маркировка: B1201
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для 2SB1201T-E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1201T-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  onsemi
2sb1201s-e 2sb1201s 2sb1201t-e 2sb1201t.pdfpdf_icon

2SB1201T-E

Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

 7.1. Size:111K  sanyo
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201T-E

Ordering number:ENN2112BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1201/2SD1801High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2045B[2SB1201/2SD1801]Features6.52.35.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.54 Large current capacity and wide ASO. Low colle

 7.2. Size:123K  sanyo
2sb1201.pdfpdf_icon

2SB1201T-E

 7.3. Size:388K  onsemi
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201T-E

Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.