Биполярный транзистор 2N796 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N796
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO18
2N796 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N78A , 2N79 , 2N790 , 2N791 , 2N792 , 2N793 , 2N794 , 2N795 , 2SC2922 , 2N797 , 2N798 , 2N799 , 2N80 , 2N800 , 2N801 , 2N802 , 2N803 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050