Биполярный транзистор 2SC2873O-G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2873O-G
Маркировка: MO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC2873O-G
2SC2873O-G Datasheet (PDF)
2sc2873o-g.pdf
General Purpose Transistor2SC2873-G Series (NPN)RoHS DeviceFeatures - Small flat package - High speed switching time. - Low collector-emitter saturation voltage.SOT-89-3LCircuit Diagram0.181(4.60)Collector0.173(4.40)1 : BASE 20.061(1.55)2 : COLLECTORREF.3 : EMITTER1Base0.102(2.60) 0.167(4.25)0.091(2.30) 0.155(3.94)1 2 33Emitter0.020(0.52) 0.023(0.
2sc2873o 2sc2873y.pdf
2SC2873 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2873 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) Complementary to 2SA1213 Absolute
2sc2873o 2sc2873y.pdf
2SC2873Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN)FEATURES Small Flat Package High Speed Switching Time Low Collector-emitter saturation voltage Complementary to 2SA1213 APPLICATIONS Power Amplifier and Switching MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 50 V CBOV Collector-Emitter
2sc2873o 2sc2873y.pdf
2SC2873NPN-Silicon General use Transistors1W 1.5A25V 4C1B 2C 3EApplicationsCan be used for switching and amplifying in various SOT-89 electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating UnitV VCEO 25Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 40 VCollector-base voltageIE=0 VEBO 6 VEmitter-base voltageIC=0 IC 1.5 AColle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050