Биполярный транзистор 2SC3265-Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3265-Y
Маркировка: EY
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2SC3265-Y
2SC3265-Y Datasheet (PDF)
2sc3265-y.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SC3265-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC3265-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)NPN General Power switching application Complementary to 2SA1298 Purpose Amplifier Low f
2sc3265-o 2sc3265-y.pdf
RUMW UMW 2SC3265SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 2SC3265 TRANSISTOR (NPN)FEATURES 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR High DC current gain Complementary to KTA1298 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collec
2sc3265-o 2sc3265-y.pdf
2SC3265 SMD Ty p e TransistorsNPN Transistors321.Base2.Emitter Features1 3.Collector High DC current gain Simplified outline(SOT-23) Low saturation voltage Complementary to 2SA1298 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collector - Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter - Base Voltage VEBO 5
2sc3265-o.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SC3265-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC3265-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)NPN General Power switching application Complementary to 2SA1298 Purpose Amplifier Low f
2sc3265.pdf
2SC3265 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3265 Low Frequency Power Amplifier Applications Unit: mm Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: V = 0.4 V (max) CE (sat)(I = 500 mA, I = 20 mA) C B Complementary to 2SA1298 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol
2sc3265.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors 2SC3265SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features High DC current gain Low saturation voltage1 2+0.1 Complementary to 2SA1298 +0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Coll
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC5825
History: 2SC5825
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050