Справочник транзисторов. 2SC3423-126

 

Биполярный транзистор 2SC3423-126 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3423-126
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO225
 

 Аналог (замена) для 2SC3423-126

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3423-126 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  inchange semiconductor
 2sc3423-126.pdf pdf_icon

2SC3423-126

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

 7.1. Size:133K  toshiba
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

2SC3423 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3423 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SA1360 Small collector output capacitance: Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 150 VCollector-emitt

 7.2. Size:197K  jmnic
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3423DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1360Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC3265-O , 2SC3265-Y , 2SC3279-L , 2SC3279-M , 2SC3279-N , 2SC3279-P , 2SC3320B , 2SC3415S , 2SA1943 , 2SC3496A , 2SC3519B , 2SC3519B-A , 2SC3528-3PFA , 2SC3588-Z , 2SC3631-Z , 2SC3646S-TD-E , 2SC3646T-TD-E .

History: OC602 | BD245B

 

 
Back to Top

 


 
.