2SC3423-126 - описание и поиск аналогов

 

2SC3423-126. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3423-126

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO225

 Аналоги (замена) для 2SC3423-126

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3423-126 даташит

 ..1. Size:133K  inchange semiconductor
 2sc3423-126.pdf pdf_icon

2SC3423-126

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

 7.1. Size:133K  toshiba
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

2SC3423 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3423 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SA1360 Small collector output capacitance Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency fT = 200 MHz (typ.) Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 150 V Collector-emitt

 7.2. Size:197K  jmnic
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:196K  inchange semiconductor
 2sc3423.pdf pdf_icon

2SC3423-126

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3423 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SA1360 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC3265-O , 2SC3265-Y , 2SC3279-L , 2SC3279-M , 2SC3279-N , 2SC3279-P , 2SC3320B , 2SC3415S , TIP122 , 2SC3496A , 2SC3519B , 2SC3519B-A , 2SC3528-3PFA , 2SC3588-Z , 2SC3631-Z , 2SC3646S-TD-E , 2SC3646T-TD-E .

History: 2SC3150A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.