Биполярный транзистор 2SC3496A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3496A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3
Корпус транзистора: TO252
2SC3496A Datasheet (PDF)
2sc3496a.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specification2SC3496ATO-252Unit: mm+0.15 +0.16.50-0.15 2.30-0.1+0.2 +0.85.30-0.2 0.50-0.7FeaturesHigh-speed switchingHigh collector-base voltage (Emitter open) VCBO0.127+0.1 max0.80-0.1Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE+0.12.3 0.60-0.11 Base+0
2sc3496.pdf
Power Transistors2SC3496, 2SC3496ASilicon NPN triple diffusion planar typeFor power switchingUnit: mm8.50.2 3.40.36.00.2 1.00.1 Features High-speed switching High collector-base voltage (Emitter open) VCBO0 to 0.4 Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFER = 0.50.80.1 N type package enabling direct soldering of the radiatin
2sc3495.pdf
Ordering number:EN1430BNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3495High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions AF amplifier, various driver, muting circuit. unit:mm2003AFeatures [2SC3495] Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 2000). High breakdown voltage (VCEO 100V). Low collector-
2sc3494.pdf
2SC3494Silicon NPN Epitaxial PlanarApplicationFM RF/IF amplifierOutlineSPAK1. Emitter122. Collector33. Base2SC3494Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 100 mACollector power dissipation PC 300 mWJunction temp
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050