Биполярный транзистор 2SC3528-3PFA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3528-3PFA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3PF
Аналоги (замена) для 2SC3528-3PFA
2SC3528-3PFA Datasheet (PDF)
2sc3528-3pfa.pdf
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3528 DESCRIPTION With TO-3PFa package High collector current Low saturation voltage APPLICATIONS For high voltatge ,high speed power switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector 3 Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS V
2sc3528.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3528DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Collector CurrentGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and high voltageswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll
2sc3526.pdf
Transistor2SC3526(H)Silicon NPN epitaxial planer typeFor display video outputUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Small collector output capacitance Cob.Wide current range. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 110 V+0.2 +0.2Collector to emitter voltage VCER* 100
2sc3526 e.pdf
Transistor2SC3526(H)Silicon NPN epitaxial planer typeFor display video outputUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Small collector output capacitance Cob.Wide current range. 0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 110 V+0.2 +0.2Collector to emitter voltage VCER* 100
2sc3527.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3527DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Collector CurrentGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and high voltageswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050