2SC4110B - описание и поиск аналогов

 

2SC4110B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC4110B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SC4110B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4110B даташит

 ..1. Size:249K  nell
2sc4110b.pdfpdf_icon

2SC4110B

RoHS 2SC4110B Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products Silicon NPN triple diffusion planar transistor 25A/400V Switching Regulator Applications 15.6 0.4 4.8 0.2 9.6 2.0 0.1 3.2 0,1 TO-3P(B) 2 3 FEATURES +0.2 +0.2 0.65 1.05 -0.1 -0.1 High-speed switching High breakdown voltage and high reliability 5.45 0.1 5.45 0.1 1.4 Wide SOA (Safe Operation Area)

 7.1. Size:108K  sanyo
2sc4110.pdfpdf_icon

2SC4110B

Ordering number EN2475B NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4110 400V/25A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability. unit mm Fast switching speed. 2022A Wide ASO. [2SC4110] Adoption of MBIT process. 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0 1.6 1.4 2.0 0.6 1.0 1 2 3 1 Base 0.6 2 Collector 3 E

 7.2. Size:1290K  cn sps
2sc4110t4tl.pdfpdf_icon

2SC4110B

2SC4110T4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 500 V CBO V Collector-Emitter Volta

 7.3. Size:183K  cn sptech
2sc4110l 2sc4110m 2sc4110n.pdfpdf_icon

2SC4110B

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC4110 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 500 V

Другие транзисторы: 2SC4081FRA, 2SC4097FRA, 2SC4097GP, 2SC4097-P, 2SC4097-Q, 2SC4097-R, 2SC4098FRA, 2SC4102FRA, TIP127, 2SC4110-F2, 2SC4115C, 2SC4115S-Q, 2SC4115S-R, 2SC4115S-S, 2SC4116-BL, 2SC4116-GR, 2SC4116-O

 

 

 

 

↑ Back to Top
.