Справочник транзисторов. 2SC5415AF-TD-E

 

Биполярный транзистор 2SC5415AF-TD-E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5415AF-TD-E
   Маркировка: EA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SC5415AF-TD-E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5415AF-TD-E Datasheet (PDF)

 5.1. Size:184K  onsemi
 2sc5415ae 2sc5415af.pdf pdf_icon

2SC5415AF-TD-E

Ordering number : ENA1080A2SC5415ARF Transistorhttp://onsemi.com12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCPFeatures High gain 2 : S21e =9dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=6.7GHz typSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter-

 6.1. Size:92K  sanyo
 2sc5415a.pdf pdf_icon

2SC5415AF-TD-E

Ordering number : ENA1080 2SC5415ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Low-Noise2SC5415AAmplifier ApplicationsFeatures High gain : S21e2=9dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VC

 7.1. Size:47K  sanyo
 2sc5415.pdf pdf_icon

2SC5415AF-TD-E

Ordering number:ENN5911NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5415High-FrequencyLow-Noise Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions2 High gain : S21e =9dB typ (f=1GHz).unit:mm High cutoff frequency : fT=6.7GHz typ.2038A[2SC5415]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Base0.752 : Collector3 : EmitterSANYO : PCPSpecifications(B

 7.2. Size:1027K  kexin
 2sc5415.pdf pdf_icon

2SC5415AF-TD-E

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5415SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=12V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter - Base Voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC5343-Y , 2SC5347AE-TD-E , 2SC5347AF-TD-E , 2SC536K , 2SC536S , 2SC5374A-TL-E , 2SC5397 , 2SC5415AE-TD-E , 2SC2073 , 2SC5488A-TL-H , 2SC5490A-TL-H , 2SC5501A-4-TR-E , 2SC5536A-TL-H , 2SC5551AE-TD-E , 2SC5551AF-TD-E , 2SC5566-TD-E , 2SC5569-TD-E .

 

 
Back to Top

 


 
.