Биполярный транзистор 2SC5551AF-TD-E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC5551AF-TD-E
Маркировка: EB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC5551AF-TD-E Datasheet (PDF)
2sc5551ae 2sc5551af.pdf

Ordering number : ENA1118A2SC5551ARF Transistorhttp://onsemi.com30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCPFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ) Large current : (IC=300mA) Large allowable collector dissipation (1.3W max)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 40 VCollector-to-Emitter Volta
2sc5551a.pdf

Ordering number : ENA1118 2SC5551ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Medium-Output2SC5551AAmplifier ApplicationsFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ). Large current : (IC=300mA). Large allowable collector dissipation (1.3W max).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings Un
2sc5551.pdf

Ordering number:ENN6328NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5551High-Frequency Medium-OutputAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT : (fT=3.5GHz typ).unit:mm Large current : (IC=300mA).2038A Large allowable collector dissipation (1.3W max).[2SC5551]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Base0.752 : Collector3 : EmitterSA
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MJE222 | 2SD1296 | MJ2955G | BFQ162 | EFT212 | BD518-1 | 3DD201
History: MJE222 | 2SD1296 | MJ2955G | BFQ162 | EFT212 | BD518-1 | 3DD201



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527