2SC5551AF-TD-E - описание и поиск аналогов

 

2SC5551AF-TD-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5551AF-TD-E

Маркировка: EB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SC5551AF-TD-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5551AF-TD-E даташит

 5.1. Size:185K  onsemi
2sc5551ae 2sc5551af.pdfpdf_icon

2SC5551AF-TD-E

Ordering number ENA1118A 2SC5551A RF Transistor http //onsemi.com 30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP Features High fT (fT=3.5GHz typ) Large current (IC=300mA) Large allowable collector dissipation (1.3W max) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V Collector-to-Emitter Volta

 6.1. Size:287K  sanyo
2sc5551a.pdfpdf_icon

2SC5551AF-TD-E

Ordering number ENA1118 2SC5551A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Output 2SC5551A Amplifier Applications Features High fT (fT=3.5GHz typ). Large current (IC=300mA). Large allowable collector dissipation (1.3W max). Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Un

 7.1. Size:43K  sanyo
2sc5551.pdfpdf_icon

2SC5551AF-TD-E

Ordering number ENN6328 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5551 High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications Features Package Dimensions High fT (fT=3.5GHz typ). unit mm Large current (IC=300mA). 2038A Large allowable collector dissipation (1.3W max). [2SC5551] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Base 0.75 2 Collector 3 Emitter SA

Другие транзисторы: 2SC5397, 2SC5415AE-TD-E, 2SC5415AF-TD-E, 2SC5488A-TL-H, 2SC5490A-TL-H, 2SC5501A-4-TR-E, 2SC5536A-TL-H, 2SC5551AE-TD-E, A733, 2SC5566-TD-E, 2SC5569-TD-E, 2SC5621, 2SC5625, 2SC5633, 2SC5634, 2SC5635, 2SC5636

 

 

 

 

↑ Back to Top
.