2SC5551AF-TD-E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC5551AF-TD-E
Маркировка: EB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC5551AF-TD-E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5551AF-TD-E даташит
2sc5551ae 2sc5551af.pdf
Ordering number ENA1118A 2SC5551A RF Transistor http //onsemi.com 30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP Features High fT (fT=3.5GHz typ) Large current (IC=300mA) Large allowable collector dissipation (1.3W max) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V Collector-to-Emitter Volta
2sc5551a.pdf
Ordering number ENA1118 2SC5551A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Output 2SC5551A Amplifier Applications Features High fT (fT=3.5GHz typ). Large current (IC=300mA). Large allowable collector dissipation (1.3W max). Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Un
2sc5551.pdf
Ordering number ENN6328 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5551 High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications Features Package Dimensions High fT (fT=3.5GHz typ). unit mm Large current (IC=300mA). 2038A Large allowable collector dissipation (1.3W max). [2SC5551] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Base 0.75 2 Collector 3 Emitter SA
Другие транзисторы: 2SC5397, 2SC5415AE-TD-E, 2SC5415AF-TD-E, 2SC5488A-TL-H, 2SC5490A-TL-H, 2SC5501A-4-TR-E, 2SC5536A-TL-H, 2SC5551AE-TD-E, A733, 2SC5566-TD-E, 2SC5569-TD-E, 2SC5621, 2SC5625, 2SC5633, 2SC5634, 2SC5635, 2SC5636
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527



