2SC6095-TD-E - описание и поиск аналогов

 

2SC6095-TD-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6095-TD-E

Маркировка: QF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SC6095-TD-E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6095-TD-E даташит

 7.1. Size:425K  sanyo
2sc6095.pdfpdf_icon

2SC6095-TD-E

2SC6095 Ordering number ENA0411A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC6095 High-Voltage Switching Applications Applicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switchin

 7.2. Size:322K  onsemi
2sc6095.pdfpdf_icon

2SC6095-TD-E

Ordering number ENA0411A 2SC6095 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 80V, 2.5A, Low VCE sat , NPN Single PCP Applicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power dissipat

 8.1. Size:50K  sanyo
2sc6092ls.pdfpdf_icon

2SC6095-TD-E

Ordering number ENA0834 2SC6092LS SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Color TV Horizontal Deflection 2SC6092LS Output Applications Features High speed. High breakdown voltage (VCBO=1500V). Adoption of high reliability HVP process. Adoption of MBIT process. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symb

 8.2. Size:40K  sanyo
2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6095-TD-E

Ordering number ENA0435 2SC6099 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC6099 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch

Другие транзисторы... 2SC5974 , 2SC5974A , 2SC5974B , 2SC5994-TD-E , 2SC6017-E , 2SC6017-TL-E , 2SC6046 , 2SC6094-TD-E , 2SC5198 , 2SC6096-TD-E , 2SC6096-TD-H , 2SC6097-E , 2SC6097-TL-E , 2SC6098-E , 2SC6098-TL-E , 2SC6099-E , 2SC6099-TL-E .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.