Справочник транзисторов. MJE13001A2

 

Биполярный транзистор MJE13001A2 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE13001A2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.17 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO92L
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13001A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  foshan
mje13001a2.pdfpdf_icon

MJE13001A2

MJE13001A2(3DD13001A2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.1. Size:315K  sisemi
mje13001ah.pdfpdf_icon

MJE13001A2

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE

 5.2. Size:187K  foshan
mje13001at.pdfpdf_icon

MJE13001A2

MJE13001AT(3DD13001AT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.3. Size:147K  foshan
mje13001a1.pdfpdf_icon

MJE13001A2

MJE13001A1(3DD13001A1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.