Справочник транзисторов. MJE13001AT

 

Биполярный транзистор MJE13001AT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE13001AT
   Маркировка: H01A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.17 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для MJE13001AT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13001AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  foshan
 mje13001at.pdf pdf_icon

MJE13001AT

MJE13001AT(3DD13001AT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.1. Size:315K  sisemi
 mje13001ah.pdf pdf_icon

MJE13001AT

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE

 5.2. Size:153K  foshan
 mje13001a2.pdf pdf_icon

MJE13001AT

MJE13001A2(3DD13001A2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.3. Size:147K  foshan
 mje13001a1.pdf pdf_icon

MJE13001AT

MJE13001A1(3DD13001A1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD2152 , 2SD2173 , 2SD2227S , 2SD2318 , MJE1123 , MJE13001A0 , MJE13001A1 , MJE13001A2 , 2N3055 , MJE13001B1 , MJE13001C0 , MJE13001C1 , MJE13001C2 , MJE13001CT , MJE13001DE1 , MJE13001E1 , MJE13001E2 .

History: 2S141 | MPSA55G | 2N4900 | BC177A | BD943F | 2N2601 | 2SB981

 

 
Back to Top

 


 
.