Справочник транзисторов. MJE13003I5

 

Биполярный транзистор MJE13003I5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJE13003I5
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для MJE13003I5

 

 

MJE13003I5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  blue-rocket-elect
mje13003i5.pdf

MJE13003I5
MJE13003I5

MJE13003I5(BR3DD13003I5Q) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126(R) NPN Silicon NPN transistor in a TO-126(R) Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications High

 5.1. Size:205K  first silicon
mje13003i.pdf

MJE13003I5
MJE13003I5

SEMICONDUCTORMJE13003ITECHNICAL DATASWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.DIM MILLIMETERSA 2.20 0.2B 1.50 0.15FEATURESc 0.5 0.07Excellent Switching TimesD 6.50 0.151 2 3: ton=1.1S(Max.), tf=0.5S(Max.), at IC=1.0A e 2.30 typL 7.70 0.2High Collector Voltage : VCBO=700V.A1 1.20 0.05b1 0.8 0.1

 5.2. Size:215K  foshan
mje13003i7.pdf

MJE13003I5
MJE13003I5

MJE13003I7(3DD13003I7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 5.3. Size:207K  foshan
mje13003i6.pdf

MJE13003I5
MJE13003I5

MJE13003I6(3DD13003I6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 5.4. Size:200K  foshan
mje13003i1.pdf

MJE13003I5
MJE13003I5

MJE13003I1(3DD13003I1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top