Справочник транзисторов. MJE13003I6

 

Биполярный транзистор MJE13003I6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJE13003I6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126F

 Аналоги (замена) для MJE13003I6

 

 

MJE13003I6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  foshan
mje13003i6.pdf

MJE13003I6
MJE13003I6

MJE13003I6(3DD13003I6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 5.1. Size:830K  blue-rocket-elect
mje13003i5.pdf

MJE13003I6
MJE13003I6

MJE13003I5(BR3DD13003I5Q) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126(R) NPN Silicon NPN transistor in a TO-126(R) Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications High

 5.2. Size:205K  first silicon
mje13003i.pdf

MJE13003I6
MJE13003I6

SEMICONDUCTORMJE13003ITECHNICAL DATASWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.DIM MILLIMETERSA 2.20 0.2B 1.50 0.15FEATURESc 0.5 0.07Excellent Switching TimesD 6.50 0.151 2 3: ton=1.1S(Max.), tf=0.5S(Max.), at IC=1.0A e 2.30 typL 7.70 0.2High Collector Voltage : VCBO=700V.A1 1.20 0.05b1 0.8 0.1

 5.3. Size:215K  foshan
mje13003i7.pdf

MJE13003I6
MJE13003I6

MJE13003I7(3DD13003I7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 5.4. Size:200K  foshan
mje13003i1.pdf

MJE13003I6
MJE13003I6

MJE13003I1(3DD13003I1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top