MJE13003K3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE13003K3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE13003K3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13003K3 даташит

 ..1. Size:206K  foshan
 mje13003k3.pdf pdf_icon

MJE13003K3

MJE13003K3(3DD13003K3) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 700 V

 5.1. Size:308K  utc
 mje13003k.pdf pdf_icon

MJE13003K3

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13003K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION These devices are designed for high voltage, high speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V SWITCHMODE. FEATURES * Reverse biased SOA with inductive load @ Tc=100 C * Inductive switching ma

 5.2. Size:725K  blue-rocket-elect
 mje13003k4.pdf pdf_icon

MJE13003K3

MJE13003K4 Rev.E May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 NPN Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lighting, sw

 5.3. Size:207K  foshan
 mje13003k4.pdf pdf_icon

MJE13003K3

MJE13003K4(3DD13003K4) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE13003HN6, MJE13003I1, MJE13003I5, MJE13003I6, MJE13003I7, MJE13003J1, MJE13003J1G, MJE13003K, 13005, MJE13003K4, MJE13003K5, MJE13003K6, MJE13003K7, MJE13003K8, MJE13003L1, MJE13003L3, MJE13003L5