MJE13003VF1 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MJE13003VF1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE13003VF1 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MJE13003VF1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MJE13003VF1 даташит

..1. Size:258K foshan
mje13003vf1.pdf pdf_icon

MJE13003VF1(3DD13003VF1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 400 V

5.1. Size:418K blue-rocket-elect
mje13003vk1.pdf pdf_icon

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

5.2. Size:446K blue-rocket-elect
mje13003vk7.pdf pdf_icon

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

5.3. Size:230K foshan
mje13003vk3.pdf pdf_icon