MJE13003VH1 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MJE13003VH1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE13003VH1 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MJE13003VH1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MJE13003VH1 даташит

..1. Size:196K foshan
mje13003vh1.pdf pdf_icon

4.1. Size:203K foshan
mje13003vh5.pdf pdf_icon

MJE13003VH5 3DD13003VH5 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR RoHS Purpose High voltage capability,high speed switching,wide soa,RoHS compliant. 110V Features Suitable for 110V circuit mode,fluorescent lamp,electronic ballast.

5.1. Size:418K blue-rocket-elect
mje13003vk1.pdf pdf_icon

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

5.2. Size:446K blue-rocket-elect
mje13003vk7.pdf pdf_icon

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V