Биполярный транзистор MJE13005DQ7 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE13005DQ7
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для MJE13005DQ7
MJE13005DQ7 Datasheet (PDF)
mje13005dq7.pdf
MJE13005DQ7(3DD13005DQ7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 4 A C P
mje13005dq3.pdf
MJE13005DQ3(3DD13005DQ3) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 450 V CEO V 9.0 V EBO I 4 A C P
mje13005dq5.pdf
MJE13005DQ5(3DD13005DQ5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 800 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 4 A C P
mje13005dq4.pdf
MJE13005DQ4(3DD13005DQ4) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9 V EBO I 4 A C P (T
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
