Справочник транзисторов. MJE13007V7

 

Биполярный транзистор MJE13007V7 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE13007V7
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13007V7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  foshan
mje13007v7.pdfpdf_icon

MJE13007V7

MJE13007V7(3DD13007V7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 8.0 A C I 16 A

 5.1. Size:439K  blue-rocket-elect
mje13007v8.pdfpdf_icon

MJE13007V7

MJE13007V8(BR3DD13007V8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications.

 5.2. Size:456K  blue-rocket-elect
mje13007v9.pdfpdf_icon

MJE13007V7

MJE13007V9(BR3DD13007V9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit

 6.1. Size:337K  motorola
mje13007.pdfpdf_icon

MJE13007V7

Order this documentMOTOROLAby MJE13007/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE13007MJF13007Designer's Data SheetSWITCHMODENPN Bipolar Power TransistorPOWER TRANSISTORFor Switching Power Supply Applications8.0 AMPERES400 VOLTSThe MJE/MJF13007 is designed for highvoltage, highspeed power switching80/40 WATTSinductive circuits where fall time is critical. It is part

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GES2713 | GET111 | 2SA1338-7 | 2N1377 | TIP122F | 16924 | 2SD1361

 

 
Back to Top

 


 
.