MJE13009Z9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE13009Z9  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE13009Z9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13009Z9 даташит

 ..1. Size:232K  foshan
 mje13009z9.pdf pdf_icon

MJE13009Z9

MJE13009Z9(3DD13009Z9) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25 ) 2.0 W C P (Tc=25 ) 100 W C T 150 j

 5.1. Size:449K  blue-rocket-elect
 mje13009z8.pdf pdf_icon

MJE13009Z9

 5.2. Size:450K  blue-rocket-elect
 mje13009zj.pdf pdf_icon

MJE13009Z9

MJE13009ZJ(BR3DD13009ZJ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220S NPN Silicon NPN transistor in a TO-220S Plastic Package. / Features High VCEO High IC. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equ

 5.3. Size:233K  foshan
 mje13009z7.pdf pdf_icon

MJE13009Z9

MJE13009Z7(3DD13009Z7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25 ) 2.0 W C P (Tc=25 ) 100 W C T 150 j

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE13007X9, MJE13009-3PN, MJE13009G, MJE13009X7, MJE13009X8, MJE13009X9, MJE13009Z7, MJE13009Z8, BC327, MJE13011, MJE1320-ISC, MJE15028G, MJE15029G, MJE15030G, MJE15031G, MJE15032G, MJE15033G