MJE344G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE344G  📄📄 

Маркировка: JE344

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE344G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE344G даташит

 ..1. Size:147K  onsemi
mje344g.pdfpdf_icon

MJE344G

MJE344G Plastic NPN Silicon Medium-Power Transistor This device is useful for medium voltage applications requiring high fT such as converters and extended range amplifiers. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS NPN SILICON Rating Symbol Value Unit 150-200 VOLTS, 20 WATTS Collector-Emitter Volt

 8.1. Size:67K  st
mje3440.pdfpdf_icon

MJE344G

MJE3440 SILICON NPN TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE3440 is a NPN silicon epitaxial planar transistors in SOT-32 plastic package. It is designed for use in consumer and industrial line-operated applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO 350 V Collector-Base Voltag

 8.2. Size:62K  onsemi
mje344-d.pdfpdf_icon

MJE344G

 9.1. Size:100K  motorola
mje3439r.pdfpdf_icon

MJE344G

Другие транзисторы: MJE270G, MJE271G, MJE2955A, MJE2955TG, MJE3055A, MJE3055TG, MJE340G, MJE3439G, 2N4401, MJE371G, MJE4343G, MJE5730G, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5742G, MJE5850G, MJE5851G