Справочник транзисторов. MJF6668

 

Биполярный транзистор MJF6668 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJF6668
   Маркировка: MJF6668
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для MJF6668

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF6668 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  motorola
 mjf6388r mjf6668.pdf pdf_icon

MJF6668

Order this documentMOTOROLAby MJF6388/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJF6388*Complementary PowerPNPMJF6668*DarlingtonsFor Isolated Package Applications*Motorola Preferred DevicesDesigned for generalpurpose amplifiers and switching applications, where theCOMPLEMENTARYmounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsinkSILICON

 ..2. Size:153K  onsemi
 mjf6668.pdf pdf_icon

MJF6668

MJF6388 (NPN),MJF6668 (PNP)Preferred Device Complementary PowerDarlingtonsFor Isolated Package ApplicationsDesigned for general-purpose amplifiers and switchinghttp://onsemi.comapplications, where the mounting surface of the device is required tobe electrically isolated from the heatsink or chassis.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER DARLINGTONS Isolated Overmold Pac

 0.1. Size:153K  onsemi
 mjf6668g.pdf pdf_icon

MJF6668

MJF6388 (NPN),MJF6668 (PNP)Preferred Device Complementary PowerDarlingtonsFor Isolated Package ApplicationsDesigned for general-purpose amplifiers and switchinghttp://onsemi.comapplications, where the mounting surface of the device is required tobe electrically isolated from the heatsink or chassis.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER DARLINGTONS Isolated Overmold Pac

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414 | FJV4105R

 

 
Back to Top

 


 
.