Биполярный транзистор 3CD1094 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CD1094
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220F
3CD1094 Datasheet (PDF)
3cd1094.pdf
2SB1094(3CD1094) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : 2SD1585(3DD1585) Features: Complementary to the 2SD1585(3DD1585). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -7.0 V
3cd100.pdf
3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V
3cd1010.pdf
2SA1010(3CD1010) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :DC/DC Purpose: Use for high voltage high speed switching, for a drive in devices such as switching regulators, DC/DC converters, high frequency power amplifiers. 2SC2334(3DD2334)
3cd102.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD102,3CD103 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. The cover is insulation with three electrodes for 3CD102. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify
3cd103.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD103PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050