3CD1094. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD1094

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 3CD1094

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD1094 даташит

 ..1. Size:228K  lzg
 3cd1094.pdf pdf_icon

3CD1094

2SB1094(3CD1094) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SD1585(3DD1585) Features Complementary to the 2SD1585(3DD1585). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -7.0 V

 9.1. Size:123K  china
 3cd100.pdf pdf_icon

3CD1094

3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V

 9.2. Size:422K  lzg
 3cd1010.pdf pdf_icon

3CD1094

 9.3. Size:29K  shaanxi
 3cd102.pdf pdf_icon

3CD1094

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD102,3CD103 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. The cover is insulation with three electrodes for 3CD102. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CD030, 3CD050, 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, B772, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B