3CD1375. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD1375

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 3CD1375

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD1375 даташит

 ..1. Size:226K  lzg
 3cd1375.pdf pdf_icon

3CD1375

2SB1375(3CD1375) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SD2012(3DD2012) /Features Low V , CE(sat) High P , complementary pair with 2SD2012(3DD2012). C /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

Другие транзисторы: 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, BC546, 3CD150, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4