3CD32B - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3CD32B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3CD32B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 3CD32B

3CD32B Datasheet (PDF)

..1. Size:220K lzg
3cd32b.pdf

TIP32(3CD32) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Medium power linear switching applications. : TIP31(3DD31) Features: Complement to TIP31(3DD31). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit Symbol RatingUnitTIP32 -40 V -5.

9.1. Size:220K lzg
3cd32c.pdf