3CD940. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD940

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 3CD940

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD940 даташит

 ..1. Size:208K  lzg
 3cd940.pdf pdf_icon

3CD940

2SB940(3CD940) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , /Purpose Power amplifier, TV vertical deflection output. /Features High V , large P . CEO C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -200 V CBO V -150 V C

Другие транзисторы: 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126, 3CD8, 3CD834, 3CD837, 3CD9, D209L, 3CF1, 3CF5, 3CG1, 3CG1013, 3CG1013T, 3CG1015, 3CG1015M, 3CG1018