Справочник транзисторов. 3CG1015

 

Биполярный транзистор 3CG1015 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG1015
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG1015

 

 

3CG1015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  lzg
3cg1015.pdf

3CG1015
3CG1015

2SA1015(3CG1015) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. :,, h ,, 2SC1815(3DG1815) FEFeatures: High voltage and high current, excellent h linearity, low noise, FEcomplementary p

 0.1. Size:243K  lzg
3cg1015m.pdf

3CG1015
3CG1015

2SA1015M(3CG1015M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications, driver stage amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -50 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA C I -50 m

 8.1. Size:118K  china
3cg1013.pdf

3CG1015

3CG1013 PNP PCM TA=25 0.9 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A IEBO VEB=5V 0.5 A VBEsat 1.5 IC=500mA V IB=50mA

 8.2. Size:248K  lzg
3cg1013t.pdf

3CG1015
3CG1015

2SA1013T(3CG1013T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,/Purpose: Color TV vert.and class B sound output applications. :,, 2SC2383T(3DG2383T)/Features: High voltage, large continuous collector current capability, Complementary pair with 2SC2383T(3DG2383T). /Absolute maximum rat

 8.3. Size:190K  lzg
3cg1018.pdf

3CG1015
3CG1015

2SA1018(3CG1018) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General amplifier. :, 2SC1473(3DG1473) Features: High V , Complementary pair with 2SC1473(3DG1473). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -250 V CBO V -200 V CEO V -5.0 V EBO I -7

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: MPS753

 

 
Back to Top