3CG131. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG131

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG131

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG131 даташит

 ..1. Size:121K  china
 3cg131.pdf pdf_icon

3CG131

3CG131 PNP A B C D E PCM Tc=75 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VE

 0.1. Size:182K  lzg
 3cg1316.pdf pdf_icon

3CG131

2SA1316(3CG1316) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low noise audio amplifier applications. , , 2SC3329(3DG3329) Features Low rbb , low noise figure, complementary pair with 2SC3329(3DG3329). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 0.2. Size:229K  lzg
 3cg1317.pdf pdf_icon

3CG131

2SA1317(3CG1317) PNP /SILION PNP TRANSISTOR Purpose Capable of being used in the low frequency to high frequency range. /Features Large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

 9.1. Size:125K  china
 3cg130.pdf pdf_icon

3CG131

3CG130 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 80 95 110 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 90 105 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1203, 3CG1213, 3CG1218A, 3CG1260, 3CG1283, 3CG1295, 3CG130, 3CG1300, 2N3055, 3CG1316, 3CG1317, 3CG1320, 3CG1365, 3CG1376, 3CG1386, 3CG1424, 3CG1426