Справочник транзисторов. 3CG1386

 

Биполярный транзистор 3CG1386 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG1386
   Маркировка: BHPH_BHQH_BHRH
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG1386

 

 

3CG1386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  lzg
3cg1386.pdf

3CG1386 3CG1386

2SB1386(3CG1386) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General power amplifier applications. ,, 2SD2098(3DG2098) Features: Low V , excellent DC current gain , complements the 2SD2098(3DG2098). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:125K  china
3cg130.pdf

3CG1386

3CG130 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 80 95 110 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 90 105 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1

 9.2. Size:121K  china
3cg131.pdf

3CG1386

3CG131 PNP A B C D E PCM Tc=75 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VE

 9.3. Size:182K  lzg
3cg1316.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1316(3CG1316) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low noise audio amplifier applications. :,, 2SC3329(3DG3329) Features: Low rbb, low noise figure, complementary pair with 2SC3329(3DG3329). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.4. Size:297K  lzg
3cg1376.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1376(3CG1376) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier applications requiring high breakdown voltages. : , 2SC3478(3DG3478) Features: High breakdown voltage, good h linearity, complementary to 2SC3478(3DG3478). FE/Absolute maxi

 9.5. Size:324K  lzg
3cg1365.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1365(3CG1365) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Small type motor drive, relay drive, power supply. : Features: Low collector to emitter saturation voltage, excellent linearity of DC forward curren

 9.6. Size:373K  lzg
3cg1320.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1320(3CG1320) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: High voltage switching, color TV chroma output applications . /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -250 V CBO V -250 V CEO V -5.0 V EBO I -50 mA CI -100 mA CPI -20 mA BP 600 mW

 9.7. Size:229K  lzg
3cg1317.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1317(3CG1317) PNP /SILION PNP TRANSISTOR : Purpose: Capable of being used in the low frequency to high frequency range. :/Features: Large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

 9.8. Size:266K  lzg
3cg1300.pdf

3CG1386 3CG1386

2SA1300(3CG1300) PNP /SILION PNP TRANSISTOR :, Purpose: Strobo flash, medium power amplifier applications. : Features: High DC current gain, excellent h linearity, low saturation voltage. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top