3CG1426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1426

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG1426

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1426 даташит

 ..1. Size:180K  lzg
 3cg1426.pdf pdf_icon

3CG1426

2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -20 V V CEO -20 V V EBO -6.0 V I C -3.0 A P C 750 mW T j 150 T stg -55 150 /Electrical characteris

 8.1. Size:233K  lzg
 3cg1424.pdf pdf_icon

3CG1426

2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. Features Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20

 9.1. Size:262K  lzg
 3cg1440.pdf pdf_icon

3CG1426

2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V CBO

Другие транзисторы: 3CG131, 3CG1316, 3CG1317, 3CG1320, 3CG1365, 3CG1376, 3CG1386, 3CG1424, A1015, 3CG1440, 3CG1576A, 3CG1577W, 3CG1585S, 3CG1590K, 3CG160, 3CG1621, 3CG170