3CG180. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG180

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG180

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG180 даташит

 ..1. Size:124K  china
 3cg180.pdf pdf_icon

3CG180

3CG180 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 240 120 160 200 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 220 100 140 180 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 0.5 A ICEO

 9.1. Size:119K  china
 3cg182.pdf pdf_icon

3CG180

3CG182 PNP A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 240 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 0.5 A ICEO VCE=30V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A

Другие транзисторы: 3CG1585S, 3CG1590K, 3CG160, 3CG1621, 3CG170, 3CG1700, 3CG1797, 3CG17B, 2SD718, 3CG182, 3CG1955, 3CG1979S, 3CG1980, 3CG1980M, 3CG1981, 3CG1981M, 3CG2